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中科潞安等共同承擔的深紫外LED芯片項目取得階段性進展

2021-04-23 10:07:05 [編輯：MiaHuang]

紫外LED及其應用是第三代半導體產業的重要發展方向。為加快重大科技攻關及成果轉化，2020年，在山西省關鍵核心技術和共性技術研發攻關專項的支持下，山西中科潞安紫外光電科技有限公司協同中科院半導體所、中科潞安半導體技術研究院共同承擔了“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術”項目研發任務。

圖片來源：拍信網正版圖庫

作為新一代紫外光源，氮化物深紫外LED引起各國研究人員和產業界的高度關注，技術創新和應用創新不斷取得突破。項目單位通過加強基礎理論研究、引入新技術等手段，圍繞高質量AlN模板材料、AlGaN材料的大失配異質外延缺陷與應力調控、高效量子結構設計與外延、高光效深紫外LED芯片的關鍵制備技術及先進封裝技術開展研究工作，顯著提升了深紫外LED芯片的內量子效率和光提取效率，制備出的大功率深紫外LED芯片，發光功率超過40mW，并開發出發光功率超過1W的深紫外LED模組，模組壽命超過5000小時。

目前相關大功率產品已小批量生產，待產業化規模放大后，可有效降低芯片成本和產品價格，推動深紫外LED 產業開辟新的應用領域和市場，有力帶動上下游相關產業發展，經濟社會效益將十分顯著。（來源：山西省科技廳半導體與新材料科技處）

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