GaN Systems有限公司（GaN Systems Inc.，簡稱“GaN Systems”）是氮化鎵（GaN）技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，主要從事GaN材料相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)，該材料以其晶體管性能和可靠性而著稱。

目前，GaN Systems正在進行資本融資，以期加快GaN技術(shù)在汽車、消費者、工業(yè)和企業(yè)市場的開發(fā)和應(yīng)用。據(jù)悉，該融資項目進展順利，并于近日獲得環(huán)旭電子、宏光半導(dǎo)體的投資。

GaN Systems獲多家公司參與投資

據(jù)了解，GaN Systems的本輪融資由跨國知名策略投資者領(lǐng)軍，并獲得動力總成技術(shù)制造商等其他投資者支持，而其他現(xiàn)有投資者包括頂級汽車制造商等。

近日，宏光半導(dǎo)體、環(huán)旭電子同樣宣布對GaN Systems進行投資。

其中，宏光半導(dǎo)體與SonnyWu先生（宏光半導(dǎo)體多家附屬公司的董事及宏光半導(dǎo)體主要股東）共同向GaN Systems投資約2百萬美元，并成為GaN Systems全球策略合作伙伴。

宏光半導(dǎo)體主要從事半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計、開發(fā)、制造、分包服務(wù)及銷售，包括LED燈珠、LED照明產(chǎn)品、快速電池充電產(chǎn)品及GaN相關(guān)產(chǎn)品。公司認為，本次投資GaN Systems，可以利用GaN Systems在GaN方面的豐富經(jīng)驗、資源及專業(yè)知識，幫助公司進一步發(fā)展及探索GaN半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，以實現(xiàn)宏光半導(dǎo)體成為GaN半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先及創(chuàng)新參與者的業(yè)務(wù)目標。

該輪投資完成后，宏光半導(dǎo)體與GaN Systems將匯聚各自優(yōu)勢。其中，GaN Systems將為宏光半導(dǎo)體提供有關(guān)GaN器件制造的工藝界定及資格的專門技術(shù)支援，以實現(xiàn)同類最優(yōu)良率的目標及目標資格；宏光半導(dǎo)體也將按照最惠國待遇基準，從GaN Systems獲得有關(guān)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(IDC)電源系統(tǒng)、電動汽車(EV)及太陽能逆變器應(yīng)用之參考設(shè)計的技術(shù)支援。同時，宏光半導(dǎo)體還可使用GaN Systems部分GaN技術(shù)，以制造其半導(dǎo)體元件。

而環(huán)旭電子的全資子公司環(huán)鴻電子則與GaN Systems簽訂了一份股份認購協(xié)議，并成為GaN Systems新一輪融資的戰(zhàn)略投資者。

此外，環(huán)旭電子還和GaN Systems簽訂了一份戰(zhàn)略業(yè)務(wù)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方將在氮化鎵功率電子領(lǐng)域共同投入研發(fā)資源。未來，雙方將展開緊密的合作，將先進的GaN電力電子產(chǎn)品推向市場，尤其是電動汽車電源模塊市場。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

第三代半導(dǎo)體加速發(fā)展

氮化鎵與碳化硅同為第三代半導(dǎo)體的主要代表材料。相比于第一代及第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在高溫、高耐壓以及承受大電流等多個方面具備明顯的優(yōu)勢，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

其中，氮化鎵作為一種無機物，其發(fā)展對于新能源汽車產(chǎn)業(yè)、5G通信產(chǎn)業(yè)、消費電子產(chǎn)業(yè)等諸多產(chǎn)業(yè)有著重要的影響。因此，氮化鎵已經(jīng)成為科技時代下全球主要國家的科技攻關(guān)重點方向，是資本熱捧的主要領(lǐng)域之一。

產(chǎn)業(yè)鏈方面，氮化鎵各環(huán)節(jié)仍以歐美企業(yè)為主，如Wolfspeed、住友電氣、三菱化學(xué)、富士通等，而中國企業(yè)則正在積極推動。

其中，三安光電是化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)，目前LED主業(yè)逐漸趨穩(wěn)，格局優(yōu)化、產(chǎn)能出清，并在砷化鎵、氮化鎵、碳化硅及濾波器等領(lǐng)域積極布局；

華燦光電的氮化鎵基電力電子器件團隊已攻克相關(guān)技術(shù)及工藝難點，在多項關(guān)鍵工藝的單項試驗已獲得突破性進展；

兆馳股份旗下子公司兆馳半導(dǎo)體的氮化鎵LED芯片正在逐步向MiniLED、背光、顯示等應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋；

納微半導(dǎo)體于今年10月20日正式登陸納斯達克，公司旗下的GaNFast產(chǎn)品已獲得包括小米、OPPO、聯(lián)想、DELL等多個品牌的認可；

臺工研院則已開發(fā)應(yīng)用于高頻通訊的氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)，并與相關(guān)學(xué)術(shù)機構(gòu)進行磊晶技術(shù)研究、開發(fā)操作頻率達320 GHz的高頻元件與100 GHz的功率放大器模塊等前瞻技術(shù)。

與此同時，我們需要意識到，盡管學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界均意識到第三代半導(dǎo)體材料對于第一、二代半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢，但由于第三代半導(dǎo)體材料在制造設(shè)備、制造工藝與成本上的劣勢，多年來，包括氮化鎵在內(nèi)，第三代半導(dǎo)體材料仍只是在小范圍內(nèi)得到應(yīng)用，發(fā)展多年仍然處于初級階段。

但我們同樣相信，隨著5G、新能源汽車、光伏儲能等市場迅速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料不可替代的優(yōu)勢將加速相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)，應(yīng)用范圍也將不斷擴展；而隨著制備技術(shù)的進步，需求拉動疊加成本降低，第三代半導(dǎo)體材料的時代即將到來，國內(nèi)相關(guān)企業(yè)也將受益于此。（文：LEDinside Lynn）

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