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臺亞積極布局第三代半導體,氮化鎵產品預計今年送樣

臺亞昨(23)日召開股東會,新任總經理衣冠君會后受訪時表示,目前積極轉型往半導體產業(yè)發(fā)展,擴大招募半導體專業(yè)經理人及研發(fā)人員加入團隊,目標在搶攻次世代感測元件于工業(yè)應用、電動車電源、感測芯片等利基市場。

除了次世代感測元件,臺亞2021年開始籌建積亞半導體(Pro-Asia Semiconductor Corporation)專注開發(fā)以碳化硅(SiC)襯底的高功率元件。今年更進一步規(guī)劃下半年擴大臺亞現(xiàn)有廠房潔凈室區(qū)域,投入氮化鎵(GaN)磊晶及元件的研發(fā)及生產,預計于2023年前提供樣品供合作客戶進行驗證。

臺亞新任總經理衣冠君表示,臺亞過去在磊晶及分離器件制造技術上已有相當深厚的基礎,將擴大加強與上游IC設計公司及下游封測及產品的合作,將可于短時間內制作出高電子遷移率晶體管(Power HEMT)樣品,提供給客戶進行驗證。

臺亞將以氮化鎵為基礎的第三代半導體的功率器件作為主要產品,其相對于硅基的元件可以耐更高的電壓,比起碳化硅的元件能有有更低的功耗,未來將結合氮化鎵與碳化硅,發(fā)展出高頻高效的射頻器件及模塊。

臺亞積極布局第三代半導體,氮化鎵產品預計今年送樣

圖片來源:拍信網正版圖庫

臺亞新總經理衣冠君曾任半導體設備大廠科林研發(fā)資深總監(jiān)、德州儀器、茂德、茂硅等半導體公司,擁有超過20年豐富半導體制造廠管理經驗。臺亞半導體公司自2019年由光磊科技更名以后,持續(xù)推動產品由光電朝向硅電多元化發(fā)展。

而為應對市場需求成長,臺亞于今年將投入8億元新臺幣擴產高階產品,包括高性能光耦元件、長波長VCSEL/LED、與長波長PD等,新產能自今年上半年開始拉升。

而在23日股東會會后衣冠君總經理受訪時更進一步揭露,臺亞在于第三代半導體的時程規(guī)劃與目標,未來將持續(xù)采穩(wěn)健的投資以支持第三代半導體研發(fā)及應用,爭取在全球眾多競爭者中脫穎而出。(來源:工商時報)

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