近日，重慶三安半導體碳化硅（SiC）襯底項目B1棟順利封頂。此項目總體分為兩個項目標段，總面積約5.8萬㎡，項目于2023年11月15日正式進場施工。

其中，重慶三安半導體SiC襯底項目（生活服務設施區(qū)）總建筑面積為2.08萬㎡，包括B1、B2棟、B3棟和B4棟等建筑。安意法半導體8英寸SiC外延、芯片項目（生活服務設施區(qū)）總建筑面積為3.7萬㎡，包括A1棟、A2棟、A3棟、A4棟和C1棟等建筑。

在B1棟順利封頂后，該項目B2、B4、C1三棟也將在年前陸續(xù)封頂，項目整體將在2024年7月前實現(xiàn)全部交付，合同工期僅為8個月。

圖片來源：湖南六建華西公司

據(jù)悉，該項目業(yè)主方為重慶三安半導體有限責任公司和安意法半導體有限公司，這兩家公司均為湖南三安為推進與意法半導體的SiC合資項目而在2023年設立的子公司。

2023年6月，意法半導體官宣將與三安光電成立一家合資制造廠，進行8英寸SiC器件大規(guī)模量產(chǎn)。該合資廠全部建設總額預計約32億美元（約230億人民幣），占地462畝，總建筑面積26.5萬平方米，采取一次建設分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片。項目在取得各項手續(xù)批復后開始建設，預計2025年完成階段性建設并逐步投產(chǎn)，2028年達產(chǎn)。

意法半導體官網(wǎng)資料顯示，該合資廠將采用意法半導體SiC專利制造工藝技術，專注于為意法半導體生產(chǎn)SiC器件。三安光電也披露，該工廠制造的SiC外延、芯片將獨家銷售給意法半導體或其指定的任何實體。

為主導該合資項目實施，湖南三安半導體有限責任公司和意法半導體（中國）投資有限公司于2023年8月共同出資成立安意法半導體有限公司，注冊資金6.12億美元，雙方持股比例分別為51%、49%。

為滿足該合資廠的襯底需求，三安光電也將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，規(guī)劃總投資70億人民幣，占地276畝，采取一次建設分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC襯底48萬片，合資公司將與湖南三安簽訂長期SiC襯底供應協(xié)議。

為推進SiC襯底制造廠項目實施，湖南三安半導體有限責任公司于2023年7月全資設立重慶三安半導體有限責任公司，注冊資本18億人民幣。（來源：集邦化合物半導體 Zac）

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