近日，TCL華星、羅化芯相繼取得Micro LED專利，涉及芯片轉移，AR/VR全彩顯示技術等。

TCL華星光電取得 Micro LED 芯片的轉移裝置及轉移方法專利

2024年12月31日消息，國家知識產(chǎn)權局信息顯示，TCL華星光電技術有限公司取得一項名為“Micro LED芯片的轉移裝置及轉移方法”的專利，授權公告號 CN114695624B，申請日期為2022年3月。
 

圖片來源：國家知識產(chǎn)權局

該發(fā)明提供了一種Micro LED芯片的轉移裝置及轉移方法，包括：機臺，用于承載并傳送目標基板；臨時基板，用于臨時承載Micro LED芯片；刺輪，包括至少3個刺針，所述刺針用于將所述Micro LED芯片從所述臨時基板上脫離，轉移至所述目標基板上；滑輪，用于傳送所述臨時基板；

在所述Micro LED芯片轉移過程中，所述刺輪和所述滑輪位于所述機臺的上方，且位于所述臨時基板背離所述Micro LED芯片的一側。通過采用本發(fā)明提供的所述轉移裝置，實施本發(fā)明提供的轉移方法，對所述Micro LED芯片進行轉移，可以達到百萬顆/小時的轉移效率，提高了Micro LED芯片的轉移效率，從而提高了Micro LED顯示屏的生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

羅化芯取得AR/VR全彩Micro LED顯示裝置及其制備方法專利

2024年12月31日消息，國家知識產(chǎn)權局信息顯示，羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司取得一項名為“一種AR/VR全彩 Micro LED顯示裝置及其制備方法”的專利，授權公告號CN118969937B，申請日期為 2024年10月。

圖片來源：國家知識產(chǎn)權局

本發(fā)明涉及一種AR/VR全彩Micro-LED顯示裝置及其制備方法，涉及半導體顯示技術領域。在本申請的AR/VR全彩Micro-LED顯示裝置的制備方法中，通過設置層疊設置的第一保護層、第二保護層以及第三保護層，且第二保護層的密度大于第一保護層的密度，且所述第二保護層中臨近所述第一保護層的一側的密度小于所述第二保護層的另一側的密度，且兩側密度差為0.6-1.5g/cm；

所述第三保護層的密度大于所述第二保護層的所述另一側的密度，通過設置密度逐漸變化的第二保護層，進而使得第二保護層的致密性逐漸提高，有效保護第一保護層的同時，使得第二保護層的外表面的剛性增加，且第三保護層的剛性更大，進而在后續(xù)轉移工序以及使用過程中，有效保護Micro-LED芯片。（LEDinside整理）

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