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意法半導(dǎo)體推出首款GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,搶攻消費電子市場

鎖定消費性電子市場,意法半導(dǎo)體(ST)11日宣布推出新系列GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品(PowerGaN),能大幅降低各種電子產(chǎn)品的能量消耗并縮小尺寸;可用于充電器、PC 外接電源適配器、LED 照明驅(qū)動器、電視機等。

不僅如此,該產(chǎn)品也能用于高功率市場,像是工業(yè)驅(qū)動馬達、太陽能逆變器、電動汽車及充電器等。

意法半導(dǎo)體表示,全球消費性電子產(chǎn)品的產(chǎn)量很大,若提升效能便可大幅減少二氧化碳排放。而氮化鎵(GaN)是一種寬能隙復(fù)合半導(dǎo)體材料,其電壓耐受能力優(yōu)于傳統(tǒng)硅材料,且不會影響導(dǎo)通電阻效能,故可降低開關(guān)損耗。此外,GaN產(chǎn)品的開關(guān)效能亦相較硅基晶體管高,進而取得極低的開關(guān)損耗;開關(guān)頻率更高,故應(yīng)用電路可采用尺寸更小的被動元件。

意法半導(dǎo)體指出,上述所有優(yōu)勢讓設(shè)計人員得以減少功率轉(zhuǎn)換器的總損耗(減少產(chǎn)生的熱)并提升效能。因此,GaN可讓電子產(chǎn)品小型化,例如,采用 GaN晶體管的PC電源適配器比當(dāng)今普及的充電器尺寸更小而且重量更輕。根據(jù)協(xié)力廠商預(yù)測,使用GaN元件后,標(biāo)準的手機充電器可縮小高達40%,或于相同尺寸條件下輸出更高的功率。

為此,意法半導(dǎo)體推出新G-HEMT晶體管產(chǎn)品家族首款產(chǎn)品(650V SGT120R65A),其具有120m最大導(dǎo)通電阻(Rds(on))、15A的最大輸出電流和優(yōu)化閘極驅(qū)動的開爾文接法腳位。

意法半導(dǎo)體汽車和離散元件產(chǎn)品部副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo Merli表示,商用GaN產(chǎn)品是功率半導(dǎo)體的下一個戰(zhàn)場,而ST推出隸屬STPOWER產(chǎn)品組合之新系列的首款產(chǎn)品,為消費、工業(yè)和汽車電源應(yīng)用帶來突破性的效能表現(xiàn)。未來ST將逐步擴大PowerGaN產(chǎn)品組合,讓全球客戶都能設(shè)計出更高效、更小巧的電源。(來源:科技新報)

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