Micro LED憑借低能耗、高亮度、高對比度及高可靠性的特性，滿足AR/VR、智能手表、大屏電視等各種像素密度和各種尺寸顯示的需求。隨著LED芯片面積不斷減小，單位面積晶圓利用率大幅提高，也意味著LED芯片成本不斷下降。

經對比，單片4英寸晶圓可以生產約350K數量的0408（4mil*8mil）芯片，當芯片面積尺寸縮小至0204（2mil*4mil）時，同樣的晶圓面積下大約可產出1400K數量的芯片，這使得單個芯片成本下降60%以上。

Micro LED憑借多項優勢特點，迎來蓬勃的發展，但如何讓技術實現成果轉化，在市場上占有一席之地，關鍵還在于如何平衡產品性能與成本的關系。為更好地發展Micro LED，國星光電今（6）日宣布，推出新型MIP（Micro LED in Package）封裝器件方案。

據介紹，新型MIP封裝器件方案基于扇出封裝技術思路，國星光電通過自主開發的巨量轉移方法，采用黑化基板與高光提取封裝路線構筑全新MIP器件，大幅提高器件光電性能，通過將引腳電極放大，使其匹配當前機臺設備，具有成本低、高亮度、低功耗、兼容性強、可混BIN提高顯示一致性等優點。

國星光電MIP封裝架構的實現流程

國星光電介紹，MIP顯示模組一致性高，黑占比超99％，采用特殊光學設計，水平視角≥174°，兼容性強，可兼容當前設備機臺，可完成測試分選、易檢測修復，更易將Micro LED應用于終端市場。

MIP顯示模組外觀圖

國星光電表示，公司始終堅持創新驅動戰略，瞄準行業趨勢，深耕技術產品，如今，5G+4K/8K浪潮迭起，新型顯示極速發展，公司定將緊抓機遇，乘著“十四五”規劃和粵港澳大灣區騰飛發展，大力發展以Mini/Micro LED等為代表的新型顯示技術。（來源：國星光電）

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