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浙大研究團隊在高性能鈣鈦礦量子點LED領域取得新進展

2025-08-12 09:44:44 [編輯：MiaHuang]

電致發光量子點的表面重構一直面臨“魚與熊掌”的困境，過度鈍化缺陷會破壞晶格完整性，而保守處理又難以抑制非輻射復合。這一矛盾在軟晶格的鈣鈦礦體系中尤為突出，傳統配體交換工藝往往導致不可逆的晶格損傷。

近日，浙江大學溫州研究院葉志鎮、戴興良、何海平研究團隊提出了一種“表面分子補償”范式，通過精準設計的季鏻碘鹽補償劑，在修復鹵素空位的同時維持離子晶格穩定，為鈣鈦礦量子點LED的性能突破提供了全新解決方案。

鈣鈦礦LED技術

該技術具有多項優勢。首先，采用弱極性溶劑，能夠在溫和條件下實現無損表面處理，避免強極性溶劑導致的晶格坍塌。其次，建立動態穩定機制，陰離子填補表面晶格空缺，陽離子與表面路易斯堿形成穩定離子對，克服傳統配體易脫附的缺陷。最后，通過空間位阻調控的離子配位，實現缺陷修復與電荷傳輸增強的同步優化。

在性能方面，該技術實現了28.8%的峰值外量子效率，刷新了純紅光量子點LED的世界紀錄；開啟電壓低至1.75伏，僅為半導體帶隙能量的90%；功率轉換效率達到30.1%，超越現有OLED和QLED；工作半衰期為70小時，測試亮度為100坎德拉每平方米。

這些指標滿足了Rec.2020超高清顯示標準，首次實現了鈣鈦礦量子點LED在效率、穩定性和能耗方面的突破。（來源：浙江大學溫州研究院）

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